陶瓷芯片镀金原因
一、概述 陶瓷芯片已经具备绝缘耐热的优势,为何工...
2025-07-21发布时间:2025-10-09
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一、钼铜材料为何需要“镀金”?
钼铜(Mo-Cu)合金作为一种高导热、低膨胀、耐高温的复合金属材料,被广泛应用于电子封装、微波器件、激光组件等高热流密度场景。但很多人可能会疑惑:钼铜本身性能已经优越,为何还要在表面额外“镀金”?
原因有三:
改善导电性能:钼铜表面并非天然优良导体,金层可降低接触电阻。
提升焊接兼容性:金层利于钎焊、键合等精密连接工艺。
增强抗氧化性:钼与铜易氧化,金层可形成惰性屏障,提升整体耐久性。
这正是“钼铜镀金”被视为电子级高端封装基板的重要原因。

二、钼铜的材料特性概览
钼铜是一种典型的金属陶瓷复合材料,主要由高熔点的钼粉与优良导热性的铜渗透结合而成。
核心特性包括:
高导热性:200–280 W/m·K,迅速导出热量;
低热膨胀系数(CTE):接近硅(~6 ppm/°C),适用于芯片封装;
高强度、耐高温:钼的熔点为2623℃,结构稳定性极佳;
可控密度:钼与铜比例调节后可获得不同的质量比与热性能;
良好机加工性:尤其在渗铜后,材料硬度适中。
因此,它被广泛用于:
IGBT模块散热基板
光电芯片载体
激光器壳体
卫星电子器件封装件
三、为什么选择“金”作为镀层金属?
在众多金属中,为什么最终选择“金”来处理钼铜表面?
主要理由如下:
极强的抗氧化性:金不易与空气中水、氧反应,在高温高湿环境下稳定性极高。
优异的导电性:金的电导率在所有金属中名列前茅,仅次于银。
可焊性与键合性好:金表面具有优良润湿性,适合金丝键合、钎焊等封装工艺。
抗迁移性强:金层不会在电场作用下向外扩散,避免连接失效。
薄层即可生效:0.3μm以上的金层已能满足大多数电子封装要求。
四、钼铜镀金的标准工艺流程
钼铜的镀金流程较为复杂,因其多孔复合结构及表面活性差,处理不当容易导致金层附着不良或空鼓脱层。
以下是典型工艺流程:
1. 表面预处理
机械加工与清洗:去除表面氧化皮与杂质。
酸洗粗化:增强镀层结合力,常用氢氟酸混酸进行表面活化。
中间层镀镍(Ni):一般电镀厚度3–5μm,防止铜向金层迁移,同时提升附着力。
2. 镀金层沉积
电镀金(Au plating):常用氰化金钾溶液,通过恒流电沉积形成0.3–2μm厚度金层。
可选化学镀金(无电镀):适合复杂结构或不宜施加电流的基体。
3. 后处理
热处理:促进界面层间结合(控制在低于铜扩散温度);
冲洗烘干:防止化学残留腐蚀金层。
检测:通过X射线荧光、SEM断面观察等方式确认镀层质量。
五、钼铜镀金的关键性能优势
提升电连接可靠性
金层提供稳定的低电阻接触界面,尤其适合高频信号、高速切换场合。
耐腐蚀、耐高温氧化
镀金后表面形成化学惰性屏障,能承受严苛的高湿、高盐雾环境。
改善钎焊与键合工艺适配性
金层可直接用于金丝键合或Au-Sn、Sn-Pb、Ag-In等常用钎料焊接,润湿性优异。
长期稳定性好
镀金处理后的钼铜器件,在常温下长期储存不变色、不氧化,性能一致性强。
可定制厚度与区域
局部镀金、选择性金层厚度设计可根据封装方式灵活定制。
六、典型应用场景与行业需求
1. 功率器件封装基板
如IGBT、MOS管、SiC模块等的底部热沉和引脚端接区域,要求金层保障导热基础上的可靠键合。
2. 光通信与激光模块封装
钼铜基底作为激光器壳体、光敏芯片支撑件,在焊盘区采用镀金处理,便于激光焊或键合。
3. 航空航天电子模块
在高速飞行环境下,金层保证电接触端抗腐蚀、防迁移、防水汽渗透能力。
4. 射频微波封装模块
钼铜用于微波腔体或金属盖板,通过镀金层降低接触电阻并提升信号完整性。